其他入選的三篇技術論文，一篇是藉由電腦模擬的協助，下降3D NAND中相鄰Wordline（WL）的干擾問題，一篇則為探討相轉變記憶體所採用選擇器元件（Selector）的材料問題，旺宏研究人員發現，在TeAsGeSi（碲砷鍺矽）四種合成化合物中，若是摻入Se（硒），可促使Selector 具有更佳的電性開關行為，供應了現有相變化記憶體（Phase Change Memory, PCM）所需利用選擇器的一種優秀選擇，另一篇則是探究ReRAM元件在高阻態（High Resistance State) 的轉變機制翻譯
旺宏電子自2003年起延續於IEDM揭曉論文，今朝揭橥的論文數已跨越60篇。
IEDM平均每一年約有來自全球約600篇論文投稿，最後經極嚴謹的法式再評選出10個次領域約200篇於會中發表。在記憶體手藝次範疇，本年僅有25篇入選。本年台灣產學研界獲選的論文總計有17篇(以第一作者統計)，包孕產業11篇，其中旺宏電子即有4篇入選，和學研界的6篇。
微電子元件界年度最主要會議─國際電子元件大會IEDM將於12/2~12/6在美國舊金山舉行，旺宏電子本年計有四篇論文入選，功效超越國際記憶體大廠，此中一篇切磋3D NAND立異構造的論文更取得大會評選為「亮點論文」（Highlight Paper），是本年台灣產學研界唯一獲選的「亮點論文」，再次彰顯旺宏在先進記憶體的研發實力延續遭到國際高度一定，也顯示旺宏在當前產業界最關注的3D NAND議題上飾演主要角色翻譯
本年旺宏獲選為IEDM 「亮點論文」的研究功效，主要是揭穿一個極新的3D NAND記憶晶胞架構。旺宏自力研發的平坦垂直渠道型電晶體佈局（Single-Gate Vertical Channel翻譯社 SGVC)，相較於其他大廠現有手藝，以相同的堆疊層數卻可達到2至3倍的記憶體密度。該篇研究成果顯示，旺宏的SGVC只要堆疊16層，其記憶體密度即可到達現行閘極環抱型結構（Gate All Around, GAA）所堆疊的48層效果。另外，也因記憶晶胞為平展垂直渠道型電晶體結構，是以可大幅削減幾何效應對於整體電性的敏感度，適合於需要頻仍讀取資料的各式利用，低層數的堆疊也有益於製程良率的提升，對於將來成長高密度、高品質的記憶體提供了一個更具競爭力的方案翻譯
本篇文章引用自此: https://udn.com/news/story/7240/2846700有關各國語文翻譯公證的問題歡迎諮詢華頓翻譯公司02-77260932
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